王鼎盛荣获2001年中国物理学会叶企孙物理奖

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王鼎盛荣获2001年中国物理学会叶企孙物理奖

日前，中科院物理所王鼎盛研究员荣获2001年中国物理学会胡刚复、饶毓泰、叶企孙、吴有训、王淦昌物理奖基金会颁发的叶企孙物理奖。
王鼎盛研究员从1979年至1994年期间，在“表面磁性与表面相互作用理论”的研究中做出了重要贡献。其中，在“界面磁性和表面巨磁矩理论”的研究中，用第一原理计算，阐明仅有一两个原子层厚的磁性薄膜淀积在非磁性基片上后表面与界面对磁性影响，解决了七十年代以前关于薄膜的磁性是增强还是减弱的争论。不但其主要结论已为新的实验证实, 而且理论方法和思想也常被引用，奠定了第一原理研究超薄膜磁性的理论基础，成为超薄膜磁性研究的重要文献。他对“表面磁各向异性能和自旋轨道耦合效应理论”的研究，从一开始就受到学术界广泛关注。他对问题(误差起源和大小)的分析得到广泛认可；倡导的方法(状态跟踪，自旋轨道耦合参数标度)为进一步解决这一问题打下了基础；提倡的模型(有效相互作用模型)开创了从第一原理计算分析磁各向异性与电子结构关系认识的先驱。他还在对“表面相互作用与吸附理论”的研究中，成功地展示了第一原理方法在表面及其吸附问题上的应用，揭示了表面电子态的特征，和吸附原子间的电荷转移与吸附位置的关系，并且提出了用Jellium/Slab模型的方法研究表面(尤其是过渡金属表面)上亚单层碱金属吸附，并用它研究了各种亚单层碱金属层吸附在不同过渡金属基片上的系统。首次得到了亚单层吸附时表面电子态随吸附层厚度变化的正确关系，阐明了各种碱金属与不同的过渡金属基片的相互作用规律。并在此后发展新的表面态计算方法中被作为标准参考。

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