职务：中国科学院半导体研究所研究员、开放室主任

    研究领域：半导体材料物理、半导体佤维（量子阱、量子线和量子点）结构及量子器件。

    工作经历：
    1962．9-1979 半导体材料光电性质研究，半导体材料器件辐照效应（包括电、质、中子和现场核试验）研究
    1980-1983．12 瑞典、隆德大学固体物理系，访问学者
    1984--中科院半导体研究所，先后任室主任，副所长等
    1990--任国家高技术新材料领域专家委员会委员、常委，功能材料专家组长，S-863新材料领域建议专家组组长等，先后任5个国际会议顾问委员会委员。

    主要业绩：
    1．主要从事半导体材料物理研究，其中人造卫星用硅太防电辐照效应和半导体材料器件电子、质子、中子和核现场试验结果为我国两弹一星的发展做出了贡献。
    2．在半导体深能级和光谱物理研究中取得多项国际水平的工作，截至1995年初，10篇论文被国际同行引用两百余次。
    3．在半导体材料物理，微重力条件下，材料生长及性质，二维电子气材料生长研究，四元锑化物材料与器件以及GaAs材料器件和电络等研究方面获国家科学院多次奖励。
    4．近年来，在佤维半导体材料生长及量子点器件研制方面，又取得了重要进展，2000年4月通过院级鉴定，申请本年度院科技进步一等奖。
    5．从80年以来，先后在国际刊物发表学术论文100余篇，培养博士研究生近三十名，硕士生10多名。