王占国
1938.12.29-。半导体材料物理学家。汉族。河南省镇平县。1962年毕业于天津大学物理系固体物理专业。中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室主任、研究员、博士生导师。
从事人造卫星用硅太阳电池辐照效应的研究,为我国空间用硅太阳电池定型(由PN改为NP)投产起了关键作用。在半导体材料生长及性质研究中,提出了识别两个深能级共存系统两者是否是同一缺陷、不同能态的新方法,解决了国际上对GaAs中A、B
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