、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论。提出了混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理新模型，解释了它们的物理实质。建立了GaAs中与铜等相关深中心的激子局域化理论模型，预示了束缚激子出现的可能规律。提出了直拉硅中新施主微观结构新模型和GaAs电学补偿五能级新模型及电学补偿新判据。协助林兰英先生开拓了我国微重力半导体材料科学新领域，首次在太空生长了GaAs单晶并对其性质作了系统研究；成功地生长了国内领先、国际先进水平的电子迁移率（4.8K）高达百万的2DEG材料和器件级的高质量HEMT及P-HEMT结构材料，为发展我国新一代超高频器件打下了基础。体GaAs热学和强场性质实验结果以及与林兰英先生一起提出的杂质控制观点，对我国70年代末GaAs

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